Graduate School of Advanced Technology (GSAT), thuộc National Taiwan University, triển khai chương trình Thạc sĩ Semiconductor Devices, Materials, and Hetero-integration nhằm hỗ trợ đào tạo nguồn nhân lực tinh hoa, đáp ứng nhu cầu phát triển công nghệ bán dẫn của thế giới. Chương trình chú trọng hợp tác giữa học thuật và công nghiệp, xây dựng nền tảng vững chắc về vật lý thiết bị, vật liệu đến công nghệ chế tạo đóng gói tiên tiến.
- Nghiên cứu và ứng dụng các thành phần, vật liệu cho các công nghệ bán dẫn tiên tiến (dưới 1 nanomet).
- Kết hợp kiến thức nền vật lý thiết bị, vật liệu và quy trình chế tạo để cung cấp nền tảng toàn diện cho học viên
+ Chương trình giảng dạy bắt buộc
+ Năng lực bắt buộc (Required Competency) (chọn một môn)
+ Chương trình giảng dạy tự chọn
📌 Lưu ý:
Các môn học này không mở vào tất cả các học kỳ.
Vui lòng tham khảo danh mục môn học hiện tại để biết các môn được mở trong từng học kỳ cụ thể.
Thời gian học: từ 1 đến 4 năm
Tổng tín chỉ tối thiểu: 21 tín chỉ học phần (không bao gồm Seminar, Special Topics, Seminar, Thesis)
Khóa học bằng tiếng Anh: đối với sinh viên nhập học từ năm 2022, ít nhất 35% tín chỉ phải đăng ký là các môn giảng dạy bằng tiếng Anh
+ Học bổng Thạc sĩ GSAT nâng cao (GSAT Elite Master's Scholarship)
Dành cho sinh viên mới nhập học hoặc học năm thứ hai chương trình thạc sĩ GSAT (không áp dụng với sinh viên hiện đang làm việc toàn thời gian).
Điều kiện: GPA ≥ 3.7 hoặc trong top 50% của lớp.
+ Presidential Award for Graduate Students
Dành cho sinh viên thạc sĩ hoặc tiến sĩ đang làm luận văn và chuẩn bị bảo vệ trong năm học hiện tại, có thành tích học tập và nghiên cứu xuất sắc, không có hồ sơ kỷ luật.
Phí thưởng: TWD 100,000 (~USD 3,333)
NTU tuyển sinh chương trình Thạc sĩ GSAT – bao gồm chương trình Semiconductor Devices, Materials, and Hetero-integration – hai kỳ nhập học chính mỗi năm: mùa xuân (Spring) nhập học tháng 2 và mùa thu (Fall) nhập học tháng 9.
Chi phí hồ sơ tự túc
Chi phí hồ sơ hệ Ngôn ngữ
Chi phí hồ sơ 1+4 và vhvl
Chứng thực giấy tờ